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近日，南京理工大学材料科学与工程学院袁国亮教授课题组在柔性透明阻变存储器研究方面取得突破性进展。相关研究成果“Flexible, Semitransparent, and Inorganic Resistive Memory based on BaTi0.95Co0.05O3Film”于2017年4月发表在《Advanced Materials》（DOI: 10.1002/adma.201700425）。该期刊最新公布的影响因子为18.960。研究生杨玉玺为第一作者，袁国亮教授为通讯作者。
实验表明，制备的样品具有优越的综合阻变性质：高/低电阻比例超过50倍、信息读写次数超过36万次、能够在室温至180度环境下正常工作等。更重要的是，该样品具有优越的抗弯曲性能和半透明的特征，在1.4毫米弯曲半径下样品能够保持原始平整样品一致的阻变性质，在3毫米半径下弯曲1万次之后样品毫发无损，阻变性质没有明显变化。
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